摩根士丹利(大摩)证券示警，由于需求疲软，将导致下半年存储器价格更快速下滑，影响范围包括三大内存。

三大内存为动态随机存取存储器(DRAM)、编码型闪存(NOR Flash)、储存型闪存(NAND Flash)。

报告指出，由于需求疲软，加上厂商与客户端的高库存水位，内存供应链将面临巨大的去库存压力，造成下半年价格将进一步下跌，且严重程度将大过市场预期。

对于中国台厂，大摩认为，除了旺宏、华邦电、南亚科、力积电等劣于大盘外，连原先相对看好的群联，评价转至中立。虽然群联在中国大陆的成长动能强劲，但由于高库存及 NAND 价格环境恶化，NAND 景气循环短期内不太可能快速复苏。

报告指出，业界认为，SK 与三星已停止生产 1Gb 及 2Gb 内存，并且降低 DDR3 的生产。不过，由于 CMOS 图像传感器的市场展望趋于疲弱，三星正在将 CIS 的产能用来生产 DDR3，使特殊型 DRAM 供给情况更加不妙。长期来说，SK 及三星不会放弃消费 DRAM 市场，而是移转到 DDR4 以着眼于 4Gb 产品。

关键词： 摩根士丹利 编码型闪存 储存型闪存 随机存取存储器