南亚科今(23)日举行 12 英寸新厂动工典礼，计划投资 3000 亿元新台币，目标 2025 年开始装机量产。
南亚科指出，新厂位于新北市泰山南林科学园区，规划分三阶段进行扩建，完成后月产能达 4.5 万片规模，将推出采用自主研发的 10 纳米级制程技术生产 DRAM 芯片。
据悉，南亚科总经理吴嘉昭曾表示，DRAM 是所有电子产品智能化的关键元件，是半导体产业极为重要的一环，所以投资兴建先进晶圆厂，让南亚科不仅成为中国台湾的 DRAM 领导者，更是全球关键存储器供应商。
南亚科今(23)日举行 12 英寸新厂动工典礼，计划投资 3000 亿元新台币，目标 2025 年开始装机量产。
南亚科指出，新厂位于新北市泰山南林科学园区，规划分三阶段进行扩建，完成后月产能达 4.5 万片规模，将推出采用自主研发的 10 纳米级制程技术生产 DRAM 芯片。
据悉，南亚科总经理吴嘉昭曾表示，DRAM 是所有电子产品智能化的关键元件，是半导体产业极为重要的一环，所以投资兴建先进晶圆厂，让南亚科不仅成为中国台湾的 DRAM 领导者，更是全球关键存储器供应商。
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